EEPROM (Elektrisk slettbart programmerbart skrivebeskyttet minne) og Flash minne er begge ikke-flyktige minneteknologier, noe som betyr at de kan lagre data selv når strømmen er koblet fra. Det er imidlertid noen viktige forskjeller mellom de to teknologiene.

* EEPROM er en type skrivebeskyttet minne som kan slettes og omprogrammeres flere ganger. Imidlertid er slette-/skrivesyklustiden for EEPROM relativt langsom, typisk i størrelsesorden millisekunder eller til og med sekunder.

* Flash minne, på den annen side, er en type ikke-flyktig minne som kan slettes og omprogrammeres mye raskere enn EEPROM. Syklustider for sletting/skriving av flashminne er vanligvis i størrelsesorden mikrosekunder eller til og med nanosekunder.

En annen forskjell mellom EEPROM og Flash-minne er antall slette-/skrivesykluser som hver teknologi tåler. EEPROM er typisk vurdert for 10 000 til 100 000 slette-/skrivesykluser, mens Flash-minne vanligvis er vurdert for 100 000 til 1 000 000 slette-/skrivesykluser.

Til slutt, EEPROM og Flash-minne er forskjellige i kostnadene per bit. EEPROM er vanligvis dyrere enn Flash-minne, selv om kostnaden per bit for begge teknologiene har gått ned de siste årene.

Generelt er EEPROM best egnet for applikasjoner der data må lagres og få tilgang til sjelden, for eksempel i konfigurasjonsinnstillinger eller kalibreringsdata. Flash-minne er best egnet for applikasjoner der data må lagres og få tilgang til raskt, for eksempel i innebygde systemer eller USB-stasjoner.

Her er en tabell som oppsummerer de viktigste forskjellene mellom EEPROM og Flash-minne:

| Funksjon | EEPROM | Flash |

|---|---|---|

| Slett/skriv syklustid | Millisekunder til sekunder | Mikrosekunder til nanosekunder |

| Antall slette-/skrivesykluser | 10 000 til 100 000 | 100 000 til 1 000 000 |

| Kostnad per bit | Dyrere | Billigere |

| Passer best for | Applikasjoner der data må lagres og åpnes sjelden | Applikasjoner der data må lagres og få tilgang til raskt |