Samsung melder om et gjennombrudd innen minneteknologi. Nå starter de masseproduksjon av DRAM-brikker med 4 gigabit (Gbit) kapasitet med en hittil uovertruffen lagringstetthet.

DDR3 DRAM-brikkene (dynamic random access memory) er for første gang laget med 20 nanometers prosessteknologi, ifølge en pressemelding.

Krympede kretser gir lavere strømforbruk. Gevinsten skal være på opptil 25 prosent sammenlignet med DDR3-minne laget med 25 nanometers prosessteknologi.

Én nanometer er en milliondels millimeter.

Fremskrittet vil trolig medføre bedre batteritid blant annet på mobiltelefoner når minnebrikkene kommer på markedet i løpet av neste halvår, sier en talsmann for Samsung.

Den sør-koreanske teknologigiganten er verdens største produsent av minnebrikker.